全新QSiC 1200V 模块：GCMS020A120S1-E1、GCMS040A120S1-E1、GCMX020B120S1-E1、GCMS020B120S1-E1适用于大功率应用

随笔1个月前发布北北

30 0 0

全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模块，提升能源标准，这些超高效模块支持电动汽车、医疗电源和太阳能大功率应用的创新设计。

特点

低开关损耗
低结至外壳热阻
非常坚固，易于安装
直接安装到散热器上（隔离封装）
超低损耗的高频操作
SiC SBDs的零反向恢复电流
SiC MOSFETs的小关断尾电流
低杂散电感
常闭设备操作

器件参数

GCMS040A120S1-E1 1200V 40 mΩ SiC MOSFET 底座安装 SOT-227

GCMS020A120S1-E1 1200V 20 mΩ SiC MOSFET/SBD 模块 SOT-227

GCMS020B120S1-E1
FET 类型：N 通道
技术：SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 – 连续漏极 (Id)：113A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 50A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：215 nC @ 20 V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5279 pF @ 1000 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：395W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：-
资质：-
安装类型：底座安装
供应商器件封装：SOT-227
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

GCMX020B120S1-E1
FET 类型：N 通道
技术：SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 – 连续漏极 (Id)：113A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 50A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：216 nC @ 20 V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5349 pF @ 1000 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：395W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：-
资质：-
安装类型：底座安装
供应商器件封装：SOT-227
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC